新闻动态
承接航天某院新项目在PMMA有机玻璃上制作微米级金属结构
自主研发新电阻类器件
与清华大学合作共同开发基于石英材料的光栅光学镜片
硅深刻蚀盲孔填充Cu电镀工艺

产品与应用

硅深刻蚀盲孔填充Cu电镀工艺

   

                                                            硅深刻蚀盲孔填充Cu电镀工艺

  TSV(through silicon via)技术是穿透硅通孔技术的缩写,一般简称硅通孔技术,是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。基于此种工艺启发,源帆公司研发人员通过Bosch工艺对硅片进行深刻蚀加工,开出直径30um-120um,深150-250um的盲孔,再通过使用本公司电镀仪器有效的控制电镀工艺,对孔内进行Cu金属的填充直至填满,成功开发出此类工艺器件,应用前景广泛。


优优彩票 荣鼎国际注册 荣鼎国际 优优彩票 乐盈彩票 荣鼎国际APP 荣鼎国际 亚洲彩票网 盛通彩票注册 乐盈彩票APP