产品与应用
氧化硅片、氮化硅片

   

          SiO2guipian                SiNxguipian

        SiO2片                               SiNx片

   

1.氧化硅片(SiO2)

2~8英寸,氧化层厚度100Å~10um

氧化层厚度可根据用户的需要进行生长。一般常规的4英寸、8英寸2000 Å~5000 Å SiO2层厚度有库存。

   

2。 氮化硅片(SiNx)

2~8英寸LPCVD生长的低应力氮化硅层,氮化硅层厚度1000 Å~5um,其中4英寸5000 Å氮化硅片有库存,其它需要2-5天可以完成,一般应用于MEMS薄膜器件制作,是作为湿法腐蚀硅的良好掩蔽层


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